應用領域
MEMS 與感測器
MEMS 是「一個產品一套製程」的世界。每一顆加速度計、麥克風、壓力感測器或微鏡都有自己的結構特徵——這使得設備選型首先是應用問題，其次才是採購問題。
反覆出現的製程挑戰
高深寬比矽結構
深腔、梳齒與貫穿晶圓的導孔要求可控的側壁輪廓、全片均勻的深度，以及批次到批次的重複性。
釋放可動結構
犧牲層去除必須在不產生沾黏、腐蝕或損傷暴露材料的前提下釋放結構——化學體系與終點控制決定良率。
行為可控的薄膜應力
結構層與鈍化層薄膜需要經過設計的應力、均勻的厚度，以及與晶圓上既有工序相容的熱預算。
我們支援的典型工序
- 用於結構與 TSV 的深反應離子蝕刻（Si DRIE）
- 氣相 HF 犧牲氧化層釋放
- 低應力 SiN 與厚 SiO₂ PECVD
- 批次爐中的氧化、擴散與 LPCVD
- 化合物與介電 RIE
我們如何協助
把元件翻譯成設備語言
我們把您的結構與驗收標準轉化為原廠能夠準確回答的平台與配置問題。
定義真正有意義的 Demo
樣品計畫、光罩與書面成功指標在加工之前確定——讓 Demo 結果成為證據，而不是行銷。
為量產而規劃，不止於首片矽
自動化程度、腔體數量、稼動率預期與服務覆蓋，從第一次談話就納入討論，而不是留到最後。
有需要討論的結構、薄膜或熱處理工序？
寄來一段簡短的應用描述——元件類型、材料、晶圓尺寸，以及什麼樣的結果算好。工程師會給您一個具體的下一步。