製程技術
深矽蝕刻（Si DRIE）
深反應離子蝕刻造就了大多數 MEMS 元件、矽光平台與矽穿孔背後的高深寬比矽結構。它也是行銷數字與量產現實最容易背離的製程家族——這讓有紀律的評估變得至關重要。
它做什麼
交替式或混合式的蝕刻-鈍化電漿化學各向異性地移除矽，深度從數微米到貫穿整片晶圓，深寬比視幾何與製程設計可超過 30:1。輪廓、側壁形貌與深度均勻性都是被設計出來的結果——每種應用對它們的權重各不相同。
決定專案成敗的評估維度
- 輪廓控制
- 側壁角度、弓形（bowing）、介面處的 notching 與轉角行為——要在您的結構上量測，而不能只看測試圖形。
- 深度與 CD 均勻性
- 跨全片、跨圖形密度（ARDE/負載效應），以及在有意義的連續生產中片到片的穩定性。
- 側壁形貌
- 在光學、接合或填充製程有要求的場合，扇貝紋尺寸與粗糙度。
- 選擇比
- 對光阻、氧化層與埋層的選擇比——包括 SOI 上的 notching 行為。
- 生產力
- 在您的規格下的蝕刻速率、晶圓傳送、稼動率，以及多腔量產的腔體匹配。
值得及早問的問題
標稱蝕刻速率有意義嗎？
只有在您的輪廓與均勻性規格下才有意義。在寬鬆輪廓要求下標出的速率，一旦套上您真實的驗收標準就可能大幅下降——速率與品質必須一起評估。
Demo 應該包含什麼？
您的光罩佈局或雙方認可的替代圖形、書面成功指標、剖面分析，以及不止一片晶圓的重複性。一張「盡力而為」的照片不是證據。
有需要討論的結構、薄膜或熱處理工序？
寄來一段簡短的應用描述——元件類型、材料、晶圓尺寸，以及什麼樣的結果算好。工程師會給您一個具體的下一步。