應用領域
SiC 與 GaN 功率元件
功率市場已經從產能競賽轉向良率、成本與 8 吋成熟度的競賽。設備問題也隨之改變：不是「誰能蝕刻 SiC」，而是「誰能在量產規模上做到您的溝槽輪廓、損傷預算與重複性」。
反覆出現的製程挑戰
硬材料，嚴輪廓
SiC 溝槽幾何——角度、圓角、表面品質——直接進入元件性能與可靠度。輪廓的微小漂移就是參數漂移。
當下看不見的損傷
GaN 與 AlGaN 層會用次表面損傷懲罰激進的蝕刻，而這種損傷只在元件數據裡顯形。低損傷製程窗口必須被證明，而不是被假設。
熱約束之下的薄膜
鈍化層與層間介電必須在成品疊層允許的熱預算內，交付崩潰強度與穩定性。
我們支援的典型工序
- SiC 溝槽與平台蝕刻
- GaN / AlGaN 低損傷蝕刻
- SiN 與 SiO₂ 鈍化 PECVD
- 高溫氧化、退火與擴散
- 背面與導孔加工
我們如何協助
用您的結構做驗證
圍繞您的溝槽幾何與損傷標準設計 Demo 方案——並提前約定用什麼量測手段證明結果。
支援 6 吋向 8 吋轉移
晶圓尺寸轉移會重新打開每一個製程假設。我們協助把再驗證組織成一份計畫，而不是一場混亂。
誠實權衡進口與本地方案
本地方案確實合適的地方，我們會直說。我們的價值集中在輪廓控制、損傷或重複性要求難以滿足的環節。
有需要討論的結構、薄膜或熱處理工序？
寄來一段簡短的應用描述——元件類型、材料、晶圓尺寸，以及什麼樣的結果算好。工程師會給您一個具體的下一步。