製程技術
PECVD 介電沉積
電漿輔助 CVD 提供把特殊元件「黏合」在一起的介電薄膜——結構層、鈍化層、光學披覆、硬光罩——而且是在晶圓上其餘部分能夠承受的溫度下完成。薄膜性質是設計出來的，不是天生的：應力、成分與均勻性對每一個製程旋鈕都有反應。
它做什麼
射頻電漿分解前驅氣體，在通常 100–400 °C 的溫度下沉積 SiO₂、SiN、SiON 及相關薄膜。功夫在於命中性質目標——應力、折射率、濕蝕速率、崩潰——同時在量產規模上守住均勻性與微粒表現。
決定專案成敗的評估維度
- 應力控制與穩定性
- 絕對應力、可調範圍，以及隨腔體狀態與薄膜時效的漂移——對 MEMS 結構疊層尤其關鍵。
- 均勻性
- 在您的膜厚下，跨全片以及跨形貌的厚度與性質均勻性。
- 熱預算
- 在您的元件疊層允許的溫度下能達到的薄膜品質——封裝應用尤其要問這個問題。
- 薄膜品質指標
- 濕蝕速率、氫含量、崩潰、針孔——對準您的元件真正的要求。
- 微粒與生產力
- 清腔策略、腔體調理開銷，以及規格之內的持續產出能力。
值得及早問的問題
一個薄膜配方能服務兩種元件嗎？
很少能服務得好。應力、折射率與蝕刻速率目標互相衝突；把每種薄膜當作獨立規格對待，並讓平台證明它能可靠地保持多個設定點。
薄膜 Demo 應該包含什麼？
在您的基板類型上沉積、實測的應力與均勻性分布圖、您的膜厚下的性質資料，以及（相關時）經過您後續熱工序之後的行為。
有需要討論的結構、薄膜或熱處理工序？
寄來一段簡短的應用描述——元件類型、材料、晶圓尺寸，以及什麼樣的結果算好。工程師會給您一個具體的下一步。