Équipements & services de procédé pour semi-conducteurs spécialisés
Gravure, dépôt et traitement thermique — à la mesure de votre procédé
RayFan Semi est une société indépendante d’équipements et de solutions de procédé basée à Hsinchu, Taïwan. Nous aidons les équipes MEMS, puissance, semi-conducteurs composés et packaging avancé à spécifier, évaluer et soutenir des équipements de procédé éprouvés en production, issus de fabricants internationaux établis.
Ce que nous faisons
Trois lignes d’activité qui se renforcent
Un équipement ne crée de la valeur que lorsque le procédé, l’installation et le support à long terme tiennent ensemble. Notre société est construite autour de cette chaîne complète — pas autour d’une transaction isolée.
Équipements plasma
Gravure profonde du silicium (DRIE), gravure ionique réactive, libération sacrificielle HF en phase vapeur et dépôt diélectrique PECVD pour la fabrication MEMS, puissance et semi-conducteurs composés.
- Structures silicium à fort facteur de forme
- Gravure basse-dégradation des composés
- Couches diélectriques à faible contrainte
Traitement thermique
Systèmes de fours batch pour oxydation, diffusion, recuit, LPCVD et APCVD — l’ossature thermique des filières puissance, capteurs et CMOS spécialisé.
- Fours batch verticaux et horizontaux
- Oxydation, diffusion et recuit
- Croissance de couches LPCVD / APCVD
Services procédé & terrain
Évaluation applicative, coordination de démonstrations et d’échantillons, préparation d’installation, puis coordination du service et des pièces sur la durée — dans votre langue et votre fuseau horaire.
- Évaluation applicative & faisabilité
- Définition et coordination des démos
- Installation et support sur tout le cycle de vie
Pour qui nous travaillons
Conçu pour les semi-conducteurs spécialisés
Chaque projet part de votre composant et de votre fenêtre de procédé — pas d’un catalogue produit.
MEMS & capteurs
Structures silicium profondes, composants SOI, libération sacrificielle et couches à faible contrainte pour MEMS inertiels, acoustiques, de pression et optiques.
Explorer ce domaine02Puissance SiC & GaN
Gravure de tranchées, procédés basse-dégradation et couches de passivation pour composants de puissance en carbure de silicium et nitrure de gallium.
Explorer ce domaine03RF & photonique
Gravure de précision et dépôt diélectrique pour filtres, guides d’ondes, facettes laser et photonique intégrée.
Explorer ce domaine04Packaging avancé
Gravure silicium TSV et dépôt diélectrique basse température pour l’intégration 2.5D/3D et le packaging à l’échelle de la plaquette.
Explorer ce domaine05R&D & lignes pilotes
Configurations flexibles pour universités, instituts et production pilote — avec un chemin du laboratoire vers la fab.
Explorer ce domaineNotre méthode
Un chemin transparent, de la première question à l’équipement soutenu
Une décision d’équipement à forte valeur mérite un processus auditable. Le nôtre compte six étapes — et chacune produit un livrable qui vous appartient.
Revue applicative
Nous partons de votre structure, vos matériaux, votre taille de plaquette et vos critères d’acceptation — sous NDA si nécessaire.
Faisabilité avec le fabricant
Votre besoin est traduit en une question précise de plate-forme et de configuration, à laquelle répondent les ingénieurs procédé du fabricant.
Démo & évaluation d’échantillons
Les critères de succès sont convenus par écrit avant de traiter la moindre plaquette. Vous jugez les résultats selon vos propres critères.
Configuration & conditions
Configuration finale, exigences d’installation, documentation et conditions commerciales avancent en parallèle — pas de surprise en fin de projet.
Livraison & installation
Recette usine, expédition, préparation du site et installation sont coordonnées selon une liste de contrôle documentée.
Support sur le cycle de vie
Formation, maintenance, pièces et questions de procédé sont suivies bien après la réception. Un équipement est une relation, pas une expédition.
Pourquoi RayFan
Un partenaire d’ingénierie, pas un comptoir de négoce
Le marché des équipements ne manque pas d’intermédiaires. Ce qui manque aux fabs spécialisées, c’est un interlocuteur qui parle procédé, prend les détails en charge et reste présent après la facture.
L’application d’abord
Les discussions commencent par les profils de gravure, la contrainte des couches et le débit — pas par une grille tarifaire. Si une plate-forme ne convient pas, nous le disons.
Un seul interlocuteur, de bout en bout
Spécification, logistique des démos, documentation, expédition et installation sont coordonnées par une seule équipe — vous n’assemblez pas un projet à partir de trois fournisseurs et d’un transitaire.
Couverture multi-régions
Siège à Hsinchu — en mandarin et en anglais sur la Grande Chine et l’ensemble de l’Asie-Pacifique.
Construit pour durer
Notre modèle est récompensé par des équipements installés qui tournent : service, pièces et support procédé sont le cœur du métier, pas un accessoire.
Publications
Notes d’ingénierie pour décisions d’équipement
12 inputs to define before starting a Si DRIE project
Most DRIE projects that stall share one root cause: the application was never fully defined. Here are the twelve inputs to pin down first.
Lire l’articleHow to define success for a deep silicon etch demo
A single beautiful cross-section photo proves very little. What a meaningful DRIE demo looks like, and the criteria to agree in writing before processing starts.
Lire l’articleVertical vs horizontal batch furnaces: a selection framework for oxidation, diffusion and LPCVD
Batch thermal processing remains the quiet backbone of power and sensor fabs. A framework for the vertical-vs-horizontal decision, and the evaluation data that actually settles it.
Lire l’article
Une structure, une couche ou une étape thermique à discuter ?
Envoyez une courte description de votre application — type de composant, matériau, taille de plaquette et ce qu’un bon résultat signifie. Un ingénieur répondra avec une prochaine étape concrète.