Applications
Partez de ce que vous fabriquez
Les mêmes cinq questions décident de la plupart des projets d’équipement spécialisé : structure, matériau, taille de plaquette, critères d’acceptation et volume. Choisissez votre domaine — chaque page déroule les défis de procédé et les questions d’équipement qui en découlent.
MEMS & capteurs
Le MEMS est un monde où chaque produit a son procédé. Chaque accéléromètre, microphone, capteur de pression ou micromiroir porte sa propre signature structurelle — la sélection d’équipement est donc d’abord un problème d’application, et ensuite seulement un problème d’achat.
- Gravure ionique réactive profonde (Si DRIE) pour structures et TSV
- Libération d’oxyde sacrificiel par HF vapeur
- SiN à faible contrainte et SiO₂ épais par PECVD
Composants de puissance SiC & GaN
Le marché de la puissance est passé d’une course à la capacité à une course au rendement, au coût et à la maturité 200 mm. La question d’équipement change avec lui : non pas « qui sait graver le SiC », mais « qui atteint votre profil de tranchée, votre budget de dommage et votre répétabilité en volume de production ».
- Gravure de tranchées et de mesas SiC
- Gravure basse-dégradation GaN / AlGaN
- Passivation SiN et SiO₂ par PECVD
RF & photonique
Dans les composants RF et photoniques, la géométrie est la fonction. La rugosité de flanc devient perte optique, l’angle de facette devient efficacité de couplage, l’épaisseur de couche devient fréquence centrale. L’évaluation d’équipement doit se mesurer dans les unités de votre composant.
- RIE de précision diélectriques et composés
- Gravure profonde du silicium pour bancs optiques et micromiroirs MEMS
- SiO₂ / SiN de qualité optique par PECVD
Packaging avancé
Le packaging avancé est un système de nombreuses familles de procédés — nous nous concentrons sur les étapes où gravure plasma et dépôt décident de la faisabilité : vias traversants (TSV), formation de cavités et diélectriques basse température.
- Gravure silicium TSV et interposeurs
- Formation de cavités et de piliers
- SiO₂ / SiN basse température par PECVD
R&D & lignes pilotes
Les plates-formes de recherche vivent une autre vie : beaucoup d’utilisateurs, beaucoup de matériaux, des changements fréquents — et un jour, un procédé qui doit passer en production. Acheter pour la flexibilité d’aujourd’hui et la transférabilité de demain, voilà le cœur du problème de sélection.
- DRIE et RIE à configuration ouverte
- PECVD de recherche multi-matériaux
- Libération HF vapeur pour la recherche MEMS
Une structure, une couche ou une étape thermique à discuter ?
Envoyez une courte description de votre application — type de composant, matériau, taille de plaquette et ce qu’un bon résultat signifie. Un ingénieur répondra avec une prochaine étape concrète.