応用分野
つくるものから始める
特殊装置の案件は、たいてい同じ5つの問いで決まります。構造、材料、ウェーハサイズ、受入基準、そして生産量です。分野をお選びください。各ページでプロセス上の課題と、そこから導かれる装置の問いを整理しています。
01
MEMS・センサー
MEMS は「製品ごとにプロセスが違う」世界です。加速度センサー、マイク、圧力センサー、マイクロミラー——どれも固有の構造的特徴を持ちます。だから装置選定は、まずアプリケーションの問題であり、購買の問題はその次です。
- 構造および TSV 向け深掘り反応性イオンエッチング（Si DRIE）
- 気相 HF による犠牲酸化膜リリース
- 低応力 SiN と厚膜 SiO₂ の PECVD
SiC・GaN パワーデバイス
パワー市場は生産能力の競争から、歩留まり、コスト、200 mm の成熟度の競争へ移りました。装置への問いも変わります。「SiC をエッチングできるか」ではなく、「量産規模でお客様のトレンチ形状、ダメージ許容量、再現性を満たせるか」です。
- SiC のトレンチおよびメサエッチング
- GaN / AlGaN の低ダメージエッチング
- SiN・SiO₂ パッシベーションの PECVD
RF・フォトニクス
RF およびフォトニクスデバイスでは、形状がそのまま機能です。側壁の粗さは光損失に、端面角度は結合効率に、膜厚は中心周波数になります。装置評価は、お客様のデバイスの単位で測られなければなりません。
- 絶縁膜および化合物の精密 RIE
- 光学ベンチや MEMS ミラー向け深掘りシリコンエッチング
- 光学グレード SiO₂ / SiN の PECVD
先端パッケージ
先端パッケージは多くのプロセス群からなる体系です。当社が focus するのは、プラズマエッチングと成膜が実現性を左右する工程——貫通シリコンビア、キャビティ形成、低温絶縁膜——です。
- TSV およびインターポーザのシリコンエッチング
- キャビティとピラー形成
- 低温 SiO₂ / SiN の PECVD
R&D・パイロットライン
研究プラットフォームは別の日常を生きています。利用者が多く、材料が多様で、段取り替えが頻繁です。そしてある日、あるプロセスは量産へ移管しなければなりません。今日の柔軟性と明日の移管可能性を同時に買う——それが選定の核心です。
- オープン構成の DRIE と RIE
- 多材料対応の研究用 PECVD
- MEMS 研究向け気相 HF リリース
ご相談したい構造、成膜、熱処理工程はありますか
デバイスの種類、材料、ウェーハサイズ、そして「良い結果」とは何か——短い説明をお送りください。エンジニアが具体的な次の一手をご返信します。