アプリケーション
RF・フォトニクス
RF およびフォトニクスデバイスでは、形状がそのまま機能です。側壁の粗さは光損失に、端面角度は結合効率に、膜厚は中心周波数になります。装置評価は、お客様のデバイスの単位で測られなければなりません。
繰り返し現れるプロセス課題
ナノメートル単位の粗さ
導波路や共振器の側壁には、シリコンや SiN からニオブ酸リチウム、III-V 積層まで、滑らかで垂直な形状が要求されます。
特殊な材料系
圧電材料、III-V エピタキシャル層、光学絶縁膜は、それぞれ固有の薬液系、選択比、ダメージ制約を持ち込みます。
光学グレードの膜
成膜した絶縁膜の屈折率制御、吸収、応力は、どのリソグラフィ工程にも劣らずデバイス特性を左右します。
対応する代表的な工程
- 絶縁膜および化合物の精密 RIE
- 光学ベンチや MEMS ミラー向け深掘りシリコンエッチング
- 光学グレード SiO₂ / SiN の PECVD
- III-V レーザーの端面・メサエッチング
- 熱酸化とアニール
当社ができること
デバイスの単位で話す
挿入損失、Q 値、伝搬損失という枠組みで評価し、プロセス指標をそれらに明示的に対応づけます。
複数材料の案件を整理
ひとつのデバイスが3つの材料系にまたがる場合、それぞれの問いがきれいに答えられる順序に整理します。
研究と量産をつなぐ
多くのフォトニクスチームはラボプロセスからスケールアップします。量産プラットフォームへ向かう途中で何が変わり、何を変えてはいけないのかを定義します。
初回打ち合わせ前にご用意いただきたいこと
- デバイスの種類と波長・周波数帯
- 材料積層と基板、ウェーハサイズ
- 重要形状：CD、深さ、側壁仕様
- 損失、粗さ、ダメージの基準
- 現行プラットフォームとその限界
- 段階：研究、パイロット、量産
ご相談したい構造、成膜、熱処理工程はありますか
デバイスの種類、材料、ウェーハサイズ、そして「良い結果」とは何か——短い説明をお送りください。エンジニアが具体的な次の一手をご返信します。