アプリケーション
先端パッケージ
先端パッケージは多くのプロセス群からなる体系です。当社が focus するのは、プラズマエッチングと成膜が実現性を左右する工程——貫通シリコンビア、キャビティ形成、低温絶縁膜——です。
繰り返し現れるプロセス課題
きれいに埋まるビア
TSV エッチングは後工程で評価されます。形状、スキャロップ、底部形状が、ライナー、バリア、埋め込みの成否を決めます。
熱に弱い積層
デバイスと配線がすでに存在する状態では、以降のすべての膜を厳しい熱バジェット内で成膜しなければなりません。しかも緻密性と密着性は落とせません。
競争が激しく動きの速い供給環境
パッケージ装置は地域の competitor が強い領域です。輸入プラットフォームは、難度の高い形状と実証された再現性でのみ、その位置を得られます。
対応する代表的な工程
- TSV およびインターポーザのシリコンエッチング
- キャビティとピラー形成
- 低温 SiO₂ / SiN の PECVD
- 応力設計された絶縁膜積層
- キャリアおよび再構成ウェーハの加工
当社ができること
難度の高い形状を狙う
アスペクト比、形状、均一性の要求が汎用ソリューションを超える領域に注力し、汎用で足りる場面では正直にそう申し上げます。
エッチングと埋め込みをつなぐ
デモ基準を後工程の埋め込みと信頼性の責任者と一緒に定義し、エッチング結果を実装結果で評価できるようにします。
書類を厳格に扱う
先端パッケージの案件は複数の関係者にまたがります。分類と必要書類を初期に確定し、日程を守ります。
初回打ち合わせ前にご用意いただきたいこと
- 実装方式（2.5D、3D、WLP、インターポーザ）
- ビア寸法：直径、深さ、ピッチ
- ウェーハ種別：デバイス、キャリア、再構成
- 熱バジェットと膜要求
- 後工程の埋め込み・めっきプロセス
- 生産量と認定日程
ご相談したい構造、成膜、熱処理工程はありますか
デバイスの種類、材料、ウェーハサイズ、そして「良い結果」とは何か——短い説明をお送りください。エンジニアが具体的な次の一手をご返信します。