應用領域
先進封裝
先進封裝是由許多製程家族組成的系統——我們聚焦在電漿蝕刻與沉積決定可行性的工序：矽穿孔（TSV）、腔體成形與低溫介電薄膜。
反覆出現的製程挑戰
能被乾淨填充的導孔
TSV 蝕刻的評判標準在其後段：輪廓、扇貝紋與孔底形貌決定襯墊、阻障層與填充能否成功。
怕熱的疊層
一旦元件與內連線已經就位，之後每一層薄膜都必須在嚴苛的熱預算內沉積——還不能犧牲緻密度與附著力。
競爭激烈、變化快的供應格局
封裝設備面對強勁的在地競爭。進口平台唯有在高難度幾何與經證明的重複性上才配得上自己的位置。
我們支援的典型工序
- TSV 與中介層矽蝕刻
- 腔體與柱狀結構成形
- 低溫 SiO₂ / SiN PECVD
- 應力工程介電疊層
- 載板與重組晶圓加工
我們如何協助
瞄準高難度幾何
我們在深寬比、輪廓或均勻性要求超出通用方案的地方投入——在通用方案夠用的地方保持誠實。
把蝕刻連到填充
Demo 標準與後段填充及可靠度負責人一起定義，讓蝕刻結果由整合結果來評判。
單證及早落定
先進封裝專案往往牽涉多個利害關係方。分類與單證在開始階段就落定，進度才守得住。
有需要討論的結構、薄膜或熱處理工序？
寄來一段簡短的應用描述——元件類型、材料、晶圓尺寸，以及什麼樣的結果算好。工程師會給您一個具體的下一步。