应用领域
先进封装
先进封装是由许多工艺家族组成的系统——我们聚焦在等离子刻蚀与沉积决定可行性的工序：硅通孔（TSV）、腔体成形与低温介质薄膜。
反复出现的工艺挑战
能被干净填充的通孔
TSV 刻蚀的评判标准在其后道：轮廓、扇贝纹与孔底形貌决定衬垫、阻挡层与填充能否成功。
怕热的叠层
一旦器件与互连已经就位，之后每一层薄膜都必须在苛刻的热预算内沉积——还不能牺牲致密度与附着力。
竞争激烈、变化快的供应格局
封装设备面对强劲的本土竞争。进口平台只有在高难几何与经证明的重复性上才配得上自己的位置。
我们支持的典型工序
- TSV 与转接板硅刻蚀
- 腔体与柱状结构成形
- 低温 SiO₂ / SiN PECVD
- 应力工程介质叠层
- 载板与重构晶圆加工
我们如何帮助
瞄准高难几何
我们在深宽比、轮廓或均匀性要求超出通用方案的地方投入——在通用方案够用的地方保持诚实。
把刻蚀连到填充
Demo 标准与后道填充及可靠性负责人一起定义，让刻蚀结果由集成结果来评判。
单证尽早落定
先进封装项目往往牵涉多个利益方。分类与单证在开始阶段就落定，进度才守得住。
有需要讨论的结构、薄膜或热处理工序？
发一段简短的应用描述——器件类型、材料、晶圆尺寸，以及什么样的结果算好。工程师会给您一个具体的下一步。