工艺技术
深硅刻蚀（Si DRIE）
深反应离子刻蚀造就了大多数 MEMS 器件、硅光平台与硅通孔背后的高深宽比硅结构。它也是营销数字与量产现实最容易背离的工艺家族——这让有纪律的评估变得至关重要。
它做什么
交替式或混合式的刻蚀-钝化等离子化学各向异性地去除硅，深度从数微米到穿透整片晶圆，深宽比视几何与工艺设计可超过 30:1。轮廓、侧壁形貌与深度均匀性都是被设计出来的结果——每种应用对它们的权重各不相同。
决定项目成败的评估维度
- 轮廓控制
- 侧壁角度、弓形（bowing）、界面处的 notching 与转角行为——要在您的结构上测量，而不能只看测试图形。
- 深度与 CD 均匀性
- 跨全片、跨图形密度（ARDE/负载效应），以及在有意义的连续生产中片到片的稳定性。
- 侧壁形貌
- 在光学、键合或填充工艺有要求的场合，扇贝纹尺寸与粗糙度。
- 选择比
- 对光刻胶、氧化层与埋层的选择比——包括 SOI 上的 notching 行为。
- 生产率
- 在您的规格下的刻蚀速率、晶圆传输、稼动率，以及多腔量产的腔体匹配。
值得尽早问的问题
标称刻蚀速率有意义吗？
只有在您的轮廓与均匀性规格下才有意义。在宽松轮廓要求下标出的速率，一旦套上您真实的验收标准就可能大幅下降——速率与质量必须一起评估。
Demo 应该包含什么？
您的掩膜版图或双方认可的替代图形、书面成功指标、截面分析，以及不止一片晶圆的重复性。一张"尽力而为"的照片不是证据。
有需要讨论的结构、薄膜或热处理工序？
发一段简短的应用描述——器件类型、材料、晶圆尺寸，以及什么样的结果算好。工程师会给您一个具体的下一步。