プロセス技術
深掘りシリコンエッチング（Si DRIE）
深掘り反応性イオンエッチングは、多くの MEMS デバイス、シリコンフォトニクスベンチ、貫通シリコンビアを支える高アスペクト比シリコン構造をつくります。同時に、カタログの数字と量産の実態が最も乖離しやすいプロセス群でもあります。だからこそ、規律ある評価が欠かせません。
何をするのか
交互式または混合式のエッチング・保護膜プラズマ化学がシリコンを異方性に除去します。深さは数ミクロンからウェーハ貫通まで、アスペクト比は形状とプロセス設計次第で 30:1 を超えることもあります。形状、側壁のテクスチャ、深さ均一性はいずれも設計された結果であり、その重み付けはアプリケーションごとに異なります。
案件を左右する評価軸
- 形状制御
- 側壁角度、ボーイング、界面でのノッチング、コーナー挙動。テストパターンだけでなく、お客様の構造で測定する必要があります。
- 深さと CD の均一性
- ウェーハ面内、パターン密度間（ARDE／ローディング）、そして意味のある枚数を通したウェーハ間で評価します。
- 側壁テクスチャ
- 光学、接合、埋め込み工程が要求する場合のスキャロップ寸法と粗さ。
- 選択比
- レジスト、酸化膜、埋め込み層に対する選択比。SOI でのノッチング挙動も含みます。
- 生産性
- お客様の仕様下でのエッチングレート、ウェーハ搬送、稼働率、複数チャンバー量産でのチャンバーマッチング。
早めに確認したい点
カタログのエッチングレートに意味はありますか
お客様の形状・均一性仕様の下でのみ意味があります。形状要求が緩い条件で示されたレートは、実際の受入基準を当てはめた途端に大きく落ちることがあります。レートと品質は必ずセットで評価してください。
デモには何を含めるべきですか
お客様のマスクレイアウトか、双方で合意した代替パターン。書面の成功基準。断面解析。そして複数枚にわたる再現性です。会心の1枚の写真は証拠になりません。
ご相談したい構造、成膜、熱処理工程はありますか
デバイスの種類、材料、ウェーハサイズ、そして「良い結果」とは何か——短い説明をお送りください。エンジニアが具体的な次の一手をご返信します。