アプリケーション
SiC・GaN パワーデバイス
パワー市場は生産能力の競争から、歩留まり、コスト、200 mm の成熟度の競争へ移りました。装置への問いも変わります。「SiC をエッチングできるか」ではなく、「量産規模でお客様のトレンチ形状、ダメージ許容量、再現性を満たせるか」です。
繰り返し現れるプロセス課題
硬い材料、厳しい形状
SiC のトレンチ形状——角度、コーナー丸み、表面品質——はデバイス特性と信頼性に直結します。わずかな形状のずれが、そのまま特性のずれになります。
その場では見えないダメージ
GaN や AlGaN 層は、強すぎるエッチングに対して表面下ダメージという形で応えます。それはデバイスデータになって初めて現れます。低ダメージのプロセスウィンドウは、仮定ではなく実証が必要です。
熱制約下の成膜
パッシベーション膜と層間絶縁膜は、完成した積層構造が許す熱バジェットの中で、絶縁破壊耐性と安定性を満たさなければなりません。
対応する代表的な工程
- SiC のトレンチおよびメサエッチング
- GaN / AlGaN の低ダメージエッチング
- SiN・SiO₂ パッシベーションの PECVD
- 高温酸化、アニール、拡散
- 裏面およびビア加工
当社ができること
お客様の構造で検証
トレンチ形状とダメージ基準を軸にデモ計画を設計し、結果を裏づける測定手法を事前に合意します。
150→200 mm 移行を支援
ウェーハサイズの移行は、すべてのプロセス前提を開き直します。再認定を場当たりではなく計画として構成できるよう支援します。
輸入と国産の比較を正直に
国産ソリューションが本当に適している場面では、そう申し上げます。当社の価値は、形状制御、ダメージ、再現性の要求が厳しい領域に集中します。
初回打ち合わせ前にご用意いただきたいこと
- デバイス構造と耐圧クラス
- 基板：SiC / GaN-on-Si / GaN-on-サファイア、ウェーハサイズ
- トレンチまたはメサの形状と公差
- ダメージと表面品質の基準
- 現行プロセスとその不具合モード
- 量産日程と生産量
ご相談したい構造、成膜、熱処理工程はありますか
デバイスの種類、材料、ウェーハサイズ、そして「良い結果」とは何か——短い説明をお送りください。エンジニアが具体的な次の一手をご返信します。