Aplicaciones

Dispositivos de potencia SiC y GaN

El mercado de potencia ha pasado de una carrera por capacidad a una carrera por rendimiento, coste y madurez de 200 mm. Eso cambia la pregunta de equipos: no «quién puede grabar SiC», sino «quién alcanza su perfil de trinchera, su presupuesto de daño y su repetibilidad a volumen de producción».

Los desafíos de proceso recurrentes

Materiales duros, perfiles exactos

La geometría de trinchera en SiC — ángulo, redondeo de esquinas, calidad superficial — alimenta directamente el rendimiento y la fiabilidad del dispositivo. Una pequeña deriva de perfil se convierte en deriva paramétrica.

Daño que no se ve de inmediato

Las capas de GaN y AlGaN castigan el grabado agresivo con daño subsuperficial que solo aparece en los datos del dispositivo. Las ventanas de proceso de bajo daño deben probarse, no suponerse.

Películas bajo restricción térmica

La pasivación y los dieléctricos intercapa deben entregar resistencia a la ruptura y estabilidad dentro del presupuesto térmico del apilamiento final.

Etapas de proceso típicas que apoyamos

  • Grabado de trincheras y mesas en SiC
  • Grabado de bajo daño de GaN / AlGaN
  • Pasivación de SiN y SiO₂ por PECVD
  • Oxidación, recocido y difusión a alta temperatura
  • Procesado de cara posterior y vías

Cómo ayudamos

Validar con sus estructuras

Planes de demo construidos alrededor de su geometría de trinchera y sus criterios de daño — con la metrología que demuestre el resultado, acordada de antemano.

Acompañar la transición de 150 a 200 mm

La migración de tamaño de oblea reabre cada supuesto de proceso. Ayudamos a estructurar la recalificación como un plan, no como una improvisación.

Sopesar con honestidad opciones importadas y locales

Cuando una solución local encaja de verdad, lo decimos. Nuestro valor se concentra donde el control de perfil, el daño o la repetibilidad son difíciles de alcanzar.

Qué preparar para una primera conversación

  • Estructura del dispositivo y clase de tensión
  • Sustrato: SiC / GaN-sobre-Si / GaN-sobre-zafiro, tamaño de oblea
  • Geometría de trinchera o mesa y tolerancias
  • Criterios de daño y calidad superficial
  • Proceso actual y su modo de fallo
  • Calendario de producción y volumen

Hablemos de su proceso

¿Una estructura, película o etapa térmica que discutir?

Envíe una breve descripción de su aplicación — tipo de dispositivo, material, tamaño de oblea y qué significa un buen resultado. Un ingeniero responderá con un siguiente paso concreto.

Iniciar la conversación