应用领域
SiC 与 GaN 功率器件
功率市场已经从产能竞赛转向良率、成本与 8 英寸成熟度的竞赛。设备问题也随之改变：不是"谁能刻 SiC"，而是"谁能在量产规模上做到您的沟槽轮廓、损伤预算与重复性"。
反复出现的工艺挑战
硬材料，严轮廓
SiC 沟槽几何——角度、圆角、表面质量——直接进入器件性能与可靠性。轮廓的微小漂移就是参数漂移。
当下看不见的损伤
GaN 与 AlGaN 层会用亚表面损伤惩罚激进的刻蚀，而这种损伤只在器件数据里显形。低损伤工艺窗口必须被证明，而不是被假设。
热约束之下的薄膜
钝化层与层间介质必须在成品叠层允许的热预算内，交付击穿强度与稳定性。
我们支持的典型工序
- SiC 沟槽与台面刻蚀
- GaN / AlGaN 低损伤刻蚀
- SiN 与 SiO₂ 钝化 PECVD
- 高温氧化、退火与扩散
- 背面与通孔加工
我们如何帮助
用您的结构做验证
围绕您的沟槽几何与损伤标准设计 Demo 方案——并提前约定用什么量测手段证明结果。
支持 6 英寸向 8 英寸迁移
晶圆尺寸迁移会重新打开每一个工艺假设。我们帮助把再验证组织成一份计划，而不是一场混乱。
诚实权衡进口与本土方案
本土方案确实合适的地方，我们会直说。我们的价值集中在轮廓控制、损伤或重复性要求难以满足的环节。
第一次交流前建议准备
- 器件结构与电压等级
- 衬底：SiC / GaN-on-Si / GaN-on-蓝宝石，晶圆尺寸
- 沟槽或台面几何及公差
- 损伤与表面质量标准
- 现有工艺及其失效模式
- 量产时间表与产量
有需要讨论的结构、薄膜或热处理工序？
发一段简短的应用描述——器件类型、材料、晶圆尺寸，以及什么样的结果算好。工程师会给您一个具体的下一步。