工艺技术
反应离子刻蚀（RIE）
RIE 及其 ICP 变体塑造着定义特色半导体的硬质与特殊材料：SiC 沟槽、GaN 台面、压电薄膜、光学介质。每种材料体系都会改写规则——化学体系、损伤行为与终点控制全都不同。
它做什么
离子辅助的等离子化学刻蚀那些纯化学方法难以侵蚀的材料，在速率、选择比、轮廓与亚表面损伤之间权衡物理与化学分量。在化合物半导体中，损伤项往往是决定器件性能的那一项。
决定项目成败的评估维度
- 亚表面损伤
- 对 GaN/AlGaN 与光学材料尤其关键——只能通过器件相关的量测来证明，目视检查无法发现。
- 轮廓与表面质量
- 您的材料叠层上的沟槽角度、圆角、微沟槽（micro-trenching）与刻蚀后粗糙度。
- 选择比与终点
- 对掩膜与停止层的选择比，以及经得起量产波动的终点策略。
- 材料广度
- 一个腔体在没有交叉沾污风险的前提下，实际能够服务的材料集合。
- 重复性
- 腔体调理行为、首片效应，以及一个生产周期内的漂移。
值得尽早问的问题
如何在平台之间比较损伤？
先定义一个器件相关的损伤指标——肖特基特性、PL 强度、击穿或迁移率——并要求每个候选平台在同样的结构上做同样的测量。
一个腔体还是多个腔体？
化学体系冲突或沾污敏感的材料组合可能需要专用腔体。这个取舍应该在配置阶段就摆上桌面，而不是事后才发现。
有需要讨论的结构、薄膜或热处理工序？
发一段简短的应用描述——器件类型、材料、晶圆尺寸，以及什么样的结果算好。工程师会给您一个具体的下一步。