应用领域
从您制造的器件出发
大多数特色设备项目由同样五个问题决定：结构、材料、晶圆尺寸、验收标准与产量。选择您的领域——每个页面都会梳理相应的工艺挑战与随之而来的设备问题。
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MEMS 与传感器
MEMS 是"一个产品一套工艺"的世界。每一颗加速度计、麦克风、压力传感器或微镜都有自己的结构特征——这使得设备选型首先是应用问题，其次才是采购问题。
- 用于结构与 TSV 的深反应离子刻蚀（Si DRIE）
- 气相 HF 牺牲氧化层释放
- 低应力 SiN 与厚 SiO₂ PECVD
SiC 与 GaN 功率器件
功率市场已经从产能竞赛转向良率、成本与 8 英寸成熟度的竞赛。设备问题也随之改变：不是"谁能刻 SiC"，而是"谁能在量产规模上做到您的沟槽轮廓、损伤预算与重复性"。
- SiC 沟槽与台面刻蚀
- GaN / AlGaN 低损伤刻蚀
- SiN 与 SiO₂ 钝化 PECVD
射频与光子
在射频与光子器件中，几何就是功能。波导侧壁粗糙度变成光损耗，解理面角度变成耦合效率，薄膜厚度变成中心频率。设备评估必须用您器件的单位来度量。
- 精密介质与化合物 RIE
- 用于光学平台与 MEMS 微镜的深硅刻蚀
- 光学级 SiO₂ / SiN PECVD
先进封装
先进封装是由许多工艺家族组成的系统——我们聚焦在等离子刻蚀与沉积决定可行性的工序：硅通孔（TSV）、腔体成形与低温介质薄膜。
- TSV 与转接板硅刻蚀
- 腔体与柱状结构成形
- 低温 SiO₂ / SiN PECVD
研发与中试线
科研平台过着另一种生活：用户多、材料杂、换型频繁——而某一天，某个工艺还必须转移到量产。为今天的灵活性和明天的可转移性做采购，是选型问题的核心。
- 开放配置的 DRIE 与 RIE
- 多材料能力的科研型 PECVD
- 面向 MEMS 科研的气相 HF 释放
有需要讨论的结构、薄膜或热处理工序？
发一段简短的应用描述——器件类型、材料、晶圆尺寸，以及什么样的结果算好。工程师会给您一个具体的下一步。