应用领域
MEMS 与传感器
MEMS 是"一个产品一套工艺"的世界。每一颗加速度计、麦克风、压力传感器或微镜都有自己的结构特征——这使得设备选型首先是应用问题，其次才是采购问题。
反复出现的工艺挑战
高深宽比硅结构
深腔、梳齿与穿透晶圆的通孔要求可控的侧壁轮廓、全片均匀的深度，以及批次到批次的重复性。
释放可动结构
牺牲层去除必须在不产生粘连、腐蚀或损伤暴露材料的前提下释放结构——化学体系与终点控制决定良率。
行为可控的薄膜应力
结构层与钝化层薄膜需要经过设计的应力、均匀的厚度，以及与晶圆上已有工序兼容的热预算。
我们支持的典型工序
- 用于结构与 TSV 的深反应离子刻蚀（Si DRIE）
- 气相 HF 牺牲氧化层释放
- 低应力 SiN 与厚 SiO₂ PECVD
- 批式炉中的氧化、扩散与 LPCVD
- 化合物与介质 RIE
我们如何帮助
把器件翻译成设备语言
我们把您的结构与验收标准转化为原厂能够准确回答的平台与配置问题。
定义真正有意义的 Demo
样片计划、掩膜版与书面成功指标在加工之前确定——让 Demo 结果成为证据，而不是营销。
为量产而规划，不止于首片硅
自动化程度、腔体数量、稼动率预期与服务覆盖，从第一次谈话就纳入讨论，而不是留到最后。
有需要讨论的结构、薄膜或热处理工序？
发一段简短的应用描述——器件类型、材料、晶圆尺寸，以及什么样的结果算好。工程师会给您一个具体的下一步。