應用領域
從您製造的元件出發
大多數特殊設備專案由同樣五個問題決定：結構、材料、晶圓尺寸、驗收標準與產量。選擇您的領域——每個頁面都會梳理相應的製程挑戰與隨之而來的設備問題。
01
MEMS 與感測器
MEMS 是「一個產品一套製程」的世界。每一顆加速度計、麥克風、壓力感測器或微鏡都有自己的結構特徵——這使得設備選型首先是應用問題，其次才是採購問題。
- 用於結構與 TSV 的深反應離子蝕刻（Si DRIE）
- 氣相 HF 犧牲氧化層釋放
- 低應力 SiN 與厚 SiO₂ PECVD
SiC 與 GaN 功率元件
功率市場已經從產能競賽轉向良率、成本與 8 吋成熟度的競賽。設備問題也隨之改變：不是「誰能蝕刻 SiC」，而是「誰能在量產規模上做到您的溝槽輪廓、損傷預算與重複性」。
- SiC 溝槽與平台蝕刻
- GaN / AlGaN 低損傷蝕刻
- SiN 與 SiO₂ 鈍化 PECVD
射頻與光子
在射頻與光子元件中，幾何就是功能。波導側壁粗糙度變成光損耗，端面角度變成耦合效率，薄膜厚度變成中心頻率。設備評估必須用您元件的單位來度量。
- 精密介電與化合物 RIE
- 用於光學平台與 MEMS 微鏡的深矽蝕刻
- 光學級 SiO₂ / SiN PECVD
先進封裝
先進封裝是由許多製程家族組成的系統——我們聚焦在電漿蝕刻與沉積決定可行性的工序：矽穿孔（TSV）、腔體成形與低溫介電薄膜。
- TSV 與中介層矽蝕刻
- 腔體與柱狀結構成形
- 低溫 SiO₂ / SiN PECVD
研發與試產線
研究平台過著另一種生活：使用者多、材料雜、換線頻繁——而某一天，某個製程還必須轉移到量產。為今天的彈性和明天的可轉移性做採購，是選型問題的核心。
- 開放配置的 DRIE 與 RIE
- 多材料能力的研究型 PECVD
- 面向 MEMS 研究的氣相 HF 釋放
有需要討論的結構、薄膜或熱處理工序？
寄來一段簡短的應用描述——元件類型、材料、晶圓尺寸，以及什麼樣的結果算好。工程師會給您一個具體的下一步。