製程技術
反應離子蝕刻（RIE）
RIE 及其 ICP 變體塑造著定義特殊半導體的硬質與特殊材料：SiC 溝槽、GaN 平台、壓電薄膜、光學介電。每種材料體系都會改寫規則——化學體系、損傷行為與終點控制全都不同。
它做什麼
離子輔助的電漿化學蝕刻那些純化學方法難以侵蝕的材料，在速率、選擇比、輪廓與次表面損傷之間權衡物理與化學分量。在化合物半導體中，損傷項往往是決定元件性能的那一項。
決定專案成敗的評估維度
- 次表面損傷
- 對 GaN/AlGaN 與光學材料尤其關鍵——只能透過元件相關的量測來證明，目視檢查無法發現。
- 輪廓與表面品質
- 您的材料疊層上的溝槽角度、圓角、微溝槽（micro-trenching）與蝕刻後粗糙度。
- 選擇比與終點
- 對光罩與停止層的選擇比，以及經得起量產波動的終點策略。
- 材料廣度
- 一個腔體在沒有交叉汙染風險的前提下，實際能夠服務的材料集合。
- 重複性
- 腔體調理行為、首片效應，以及一個生產週期內的漂移。
值得及早問的問題
如何在平台之間比較損傷？
先定義一個元件相關的損傷指標——蕭特基特性、PL 強度、崩潰或遷移率——並要求每個候選平台在同樣的結構上做同樣的量測。
一個腔體還是多個腔體？
化學體系衝突或汙染敏感的材料組合可能需要專用腔體。這個取捨應該在配置階段就攤開來談，而不是事後才發現。
有需要討論的結構、薄膜或熱處理工序？
寄來一段簡短的應用描述——元件類型、材料、晶圓尺寸，以及什麼樣的結果算好。工程師會給您一個具體的下一步。