Technologies

Cinq familles de procédés, une même discipline de sélection

Chaque page explique ce que fait le procédé, où il gagne sa place et — surtout — les dimensions d’évaluation qui séparent une bonne décision d’équipement d’une décision coûteuse.

Gravure profonde du silicium (Si DRIE)

Gravure profonde du silicium (Si DRIE)

La gravure ionique réactive profonde produit les structures silicium à fort facteur de forme derrière la plupart des MEMS, des bancs photoniques silicium et des vias traversants. C’est aussi la famille de procédés où chiffres marketing et réalité de production divergent le plus facilement — d’où l’importance d’une évaluation disciplinée.

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Gravure ionique réactive (RIE)

Gravure ionique réactive (RIE)

La RIE et ses variantes ICP façonnent les matériaux durs et exotiques qui définissent les semi-conducteurs spécialisés : tranchées SiC, mesas GaN, couches piézoélectriques, diélectriques optiques. Chaque système de matériaux réécrit les règles — chimie, comportement du dommage et discipline de fin d’attaque changent avec lui.

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Libération HF en phase vapeur

Libération HF en phase vapeur

La gravure de libération finale intervient quand la plaquette MEMS porte sa valeur accumulée la plus haute — et c’est là que les procédés humides peuvent la détruire par stiction. Le HF anhydre en phase vapeur retire l’oxyde sacrificiel à sec, libérant les structures sans les forces capillaires de la chimie liquide.

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Dépôt diélectrique PECVD

Dépôt diélectrique PECVD

La CVD assistée par plasma fournit les couches diélectriques qui tiennent les composants spécialisés ensemble — couches structurelles, passivation, gaines optiques, masques durs — à des températures que le reste de la plaquette peut supporter. Les propriétés des couches s’ingénient, elles ne se subissent pas : contrainte, composition et uniformité répondent à chaque paramètre du procédé.

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Traitement thermique batch

Traitement thermique batch

Oxydation, diffusion, recuit et LPCVD restent l’ossature silencieuse des filières puissance, capteurs et CMOS spécialisé. Les fours batch livrent ces étapes avec une économie que les équipements mono-plaquette ne peuvent égaler — quand uniformité de température, contrôle d’atmosphère et automatisation correspondent à l’application.

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Une structure, une couche ou une étape thermique à discuter ?

Envoyez une courte description de votre application — type de composant, matériau, taille de plaquette et ce qu’un bon résultat signifie. Un ingénieur répondra avec une prochaine étape concrète.

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