Technologien

Fünf Prozessfamilien, eine Auswahldisziplin

Jede Seite erklärt, was der Prozess leistet, wo er sich bezahlt macht und — am wichtigsten — die Bewertungsdimensionen, die eine gute Anlagenentscheidung von einer teuren trennen.

Tiefes Siliziumätzen (Si-DRIE)

Tiefes Siliziumätzen (Si-DRIE)

Tiefes reaktives Ionenätzen erzeugt die Siliziumstrukturen mit hohem Aspektverhältnis hinter den meisten MEMS-Bauelementen, Silizium-Photonik-Bänken und Through-Silicon-Vias. Es ist zugleich die Prozessfamilie, in der Marketingzahlen und Produktionsrealität am leichtesten auseinanderlaufen — diszipliniertes Bewerten ist deshalb Pflicht.

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Reaktives Ionenätzen (RIE)

Reaktives Ionenätzen (RIE)

RIE und seine ICP-Varianten formen die harten und exotischen Materialien der Spezialhalbleiter: SiC-Gräben, GaN-Mesas, piezoelektrische Schichten, optische Dielektrika. Jedes Materialsystem schreibt die Regeln neu — Chemie, Schädigungsverhalten und Endpunktdisziplin ändern sich mit.

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HF-Gasphasenrelease

HF-Gasphasenrelease

Das finale Release-Ätzen trifft den MEMS-Wafer im Moment seines höchsten akkumulierten Werts — und Nassprozesse können ihn genau dann durch Stiction zerstören. Wasserfreies HF in der Gasphase entfernt Opferoxid trocken und stellt Strukturen ohne die Kapillarkräfte flüssiger Chemie frei.

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PECVD-Dielektrika-Abscheidung

PECVD-Dielektrika-Abscheidung

Plasmaunterstützte CVD liefert die dielektrischen Schichten, die Spezialbauelemente zusammenhalten — Strukturschichten, Passivierung, optische Mäntel, Hartmasken — bei Temperaturen, die der Rest des Wafers übersteht. Schichteigenschaften sind konstruiert, nicht gegeben: Spannung, Zusammensetzung und Uniformität reagieren auf jeden Prozessparameter.

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Batch-Thermoprozesse

Batch-Thermoprozesse

Oxidation, Diffusion, Temperung und LPCVD bleiben das stille Rückgrat von Leistungs-, Sensor- und Spezial-CMOS-Prozessen. Batch-Öfen liefern diese Schritte mit einer Wirtschaftlichkeit, die Einzelwafer-Anlagen nicht erreichen — wenn Temperaturuniformität, Atmosphärenkontrolle und Automatisierung zur Anwendung passen.

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Eine Struktur, Schicht oder ein Thermoprozess zu besprechen?

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