设备 Demo 有一个结构性问题：跑 Demo 的一方同时也是打分的一方。如果不加定义，Demo 会自然漂向设备擅长的方向，最后你收到一张体面的截面照片，配上几个在未说明条件下测出的漂亮数字。
解法是把 Demo 当作一场预先注册设计的实验。下面的每一项，都在第一片晶圆开跑之前书面约定。
先约定要证明什么
Demo 可以证明不同层次的事情，各自要求不同的设计：
- 可行性——这个结构到底能不能做出来？一两片晶圆、宽松公差、探索性配方。
- 能力——能不能做到规格？你的几何、你的验收指标、正规的量测。
- 重复性——能不能再做到规格？多片晶圆，最好跨独立批次，并报告波动。
大多数争议都能追溯到“把可行性 Demo 当成了能力证明”。把层次说破。
钉死样片与掩膜
结果对图形布局的依赖不亚于对设备的依赖。需要双方共同决定：
- 用谁的掩膜：你的版图，还是一个能代表你关键几何（最密间距、最大开口、最恶劣深宽比）的替代图形；
- 衬底类型要匹配你的叠层——体硅、SOI、键合片——因为 notching 这类界面效应只在真实叠层上出现；
- 多少片晶圆，其中哪些用于配方摸索、哪些计入结果。
如果你的真实版图是机密，NDA 和替代图形协议要先行。把敏感设计从公开咨询渠道发出去，是任何结果都补偿不了的错误。
把成功指标写下来
每个指标需要三个部分：数字、量测方法、量测位置。深硅刻蚀的常规集合：
| 指标 | 还需说明 |
|---|---|
| 深度与均匀性 | 全片量测点位；中心-边缘的定义 |
| 轮廓角度 | 在侧壁的哪个位置量；弓形与 notching 限值 |
| CD 损失 / 掩膜下切 | 参考尺寸与量测手段 |
| 扇贝纹 / 粗糙度 | 仅当器件在意时——那就写明测量技术 |
| 选择比 | 对你实际的掩膜材料与厚度 |
| 刻蚀速率 | 在以上条件下报告，不单独报告 |
最后一行最重要。速率、轮廓与均匀性是同一个工作点，不是三项独立成就。
提前约定数据长什么样
报告格式预先商定：原始量测表格，而不只是平均值；标注位置的截面图像；记录在案的运行条件。把失败样也要过来——愿意给你看边角工况的实验室，是在告诉你工艺窗口的真实边界。
重复性是另一个问题
一片好晶圆证明这个工作点存在，但对接下来一百片什么也没说。如果项目通向量产，就要求一个批次内的片间数据，日程允许的话，再要不同日期的批次间数据。腔体调理与首片效应是真实存在的；在 Demo 里遇见它们，好过在你的产线上。
Demo 也是对这段关系的试镜
供应商处理 Demo 定义的方式，预示着他们将来处理你量产问题的方式：会不会对量不了的标准提出异议，会不会诚实记录条件，敢不敢说“这个我们做不到”。认真跟你谈判成功标准的供应商，是在给你看他们的工程文化。请留意。
我们以书面成功标准、样片物流与结构化评估报告来协调 Demo——讨论您的评估。
